杀菌用紫外线灯ONL-12001

i线步进式光刻机NSR-SF140适用于半导体器件的制造。性能：Resolution分辨率≦280nm，Exposure light source曝光光源i-line(365nmwavelength)，Reductionratio缩小倍率1:4Maximumexposurefield，曝光范围26mm×33mm，Throughput产出≧200wafers/hour(300mmwafer,76shots),也可用于200mmwafer。采用悬吊投影镜头、减轻震动的“天钩构造”。通过高速运转的晶圆工作台，实现了每小时200片以上300mm晶圆的高产出。●超高产出采用了适于步进式光刻机的新平台“天钩构造”，同时晶圆工作台可高速运转，从而大幅度降低了振动，并实现了高产出。达到了每小时200片以上300mm晶圆的超高产出。高重合精度采用了“天钩构造”与配重物。并重新配置了空调管路，有利于工作室内的散热。使用ORC制作所生产的7.5KW超高压汞灯，对应型号：NLi-7500AL2。我们的紫外线灯符合国际标准，通过了CE、RoHS等认证，保证产品质量和安全性.杀菌用紫外线灯ONL-12001

b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用。c.投影式曝光（Projection Printing）:在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。UV-M10-P紫外线灯ORC製作所紫外线之光，半导体未来。

e.高精度单面：针对各大专院校、企业及科研单位，对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻机,中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

ORC制造UV-LED照射装置

3种波长(365nm,385nm,405nm)可以单独照射，多波段混合LED照射装置。

製品仕様

灯具型式：LUV-L330-Mix2

照射範囲：W330.0(mm)D15.0(mm)

波長：365・385・405(nm)照射距離(WD)25(mm)

消費電力：(Max)1900(W)

Size：H125.7(mm)W482.0(mm)D230.0(mm)

重量：7.5(kg)

電源型式：LUV-L330-Mix2

調光方式：デジタル調光・定電流制御方式

出力容量：2600(W)

定格電源電圧：AC100～240(V)50/60Hz

アラーム機能：LED断線・温度上昇重量22.0(kg) 紫外线精确制导，半导体工艺的明亮灯塔。

高压汞灯光学扩散基于非成像光学的光学扩展量概念,结合冷反光碗方程,平面镜，反射镜等光学镜组，将光源发光弧长内部的强度分布和角度分 布作为权重函数,导出了出射光斑的光能量分布,分析了带反光碗的超高压汞灯出射光斑的光学扩展量.根据理论分析模型,实际模拟了输出光斑的光能分布与光学 扩展量的关系曲线.为了验证分析方法的正确性,提出采用积分球测量光学扩展量和光能分布的方法,实验测量并验证了模拟得到的曲线,从而为照明系统的设计提 供了有价值的参考.以专业的紫外线灯，为半导体工业提供照明。FX-68S紫外线灯13.5KW电源

我们的紫外线灯可降低能源消耗和运营成本，提高生产效率和产品质量.杀菌用紫外线灯ONL-12001

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的纳米级细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有高压汞灯，准分子激光器等。杀菌用紫外线灯ONL-12001